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Literaturnachweis - Detailanzeige

 
Autor/inWolf, Michael
TitelDie Bindungs- und Halbleitereigenschaften des Siliciums.
QuelleIn: Praxis der Naturwissenschaften. Chemie, 32 (1983) 11, S. 335-339Verfügbarkeit 
Sprachedeutsch
Dokumenttypgedruckt; Zeitschriftenaufsatz
ISSN0177-9516; 0342-8745
SchlagwörterSchuljahr 10; Schuljahr 11; Gymnasium; Unterrichtsmaterial; Anorganische Chemie; Chemieunterricht; Chemische Bindung; Experimentieranleitung; Silicium; Bauanleitung; Elektrizitätslehre; Festkörperphysik; Physik; Handreichung
AbstractDie zunehmende Bedeutung der Elektronik rechtfertigt die Behandlung der Halbmetalle und ihre Leitungsvorgaenge im Mittelstufenunterricht. Die chemische Bindung in einem Halbleiter wird vereinfacht als Elektronenpaarbindung angenommen, wobei die Valenzelektronen der Gitteratome lokalisiert sind und durch Temperaturbewegung geloest werden koennen. Es wird ein Experiment zur Messung der Halbleitereigenschaften in Abhaengigkeit von der Tmeperatur von Silicium geschildert, das sowohl im Physik- als auch im Chemieunterricht eingesetzt werden kann. Unterrichtsgegenstand: Bindungs- und Halbleitereigenschaften des Siliciums.
Erfasst vonHessisches Landesinstitut für Pädagogik, Wiesbaden
Update1996_(CD)
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